Ideal 真空銅顆粒 - 銅，250 克，99.999% - 5N 純，6 x 6 毫米顆粒，銅熔點 1,083°C，PVD 蒸發材料，薄膜沉積材料
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物理氣相沉積顆粒，銅顆粒 - Cu，純度 99.999%，原子量 63.546 amu，熔點 1,083 °C，6 x 6 毫米顆粒，250 克瓶
理想真空產品股份有限公司。
如果您正在為您的工藝尋找高品質的 PVD 蒸發材料，那麼您來對地方了，您的搜尋到此為止。該產品是一瓶 250 克高純度銅 (Cu) 顆粒 (99.999%)，尺寸為 6 x 6 毫米，採用 PET 塑膠或玻璃瓶裝。這些顆粒的密度為 8.92 克/立方厘米，熔點為 1083°C，1,017°C 時的蒸氣壓為 10-4 托。 其熱膨脹係數為 16.5 x 10-6/K，在薄膜沉積方面，其 Z 比為 0.437。
我們採用極具競爭力的定價策略，確保您以盡可能高的價值獲得最優質的產品，讓您在每次購買時都能負擔得起且卓越。我們為每位客戶提供巨額折扣，大量訂購的客戶將享受巨額折扣。我們庫存大量產品，保證客戶下單後當天出貨。 這種較短的交貨時間受到所有希望以更快的周轉時間管理現金流的客戶的喜愛。我們的老客戶可以保持較低的庫存水平，降低儲存成本並最大限度地降低過時的風險。從 Ideal Vacuum 購買意味著客戶可以更快收到產品，從而提高滿意度並滿足他們的緊急需求。這也使我們的客戶能夠快速適應新趨勢和需求，從而在競爭中保持領先。
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我們致力於為您的購買提供最大的價值。如果您發現競爭對手的相同商品價格較低，我們將匹配該價格。只需向我們提供相關詳細信息，我們將確保您獲得更好的交易。
銅
銅是一種化學元素，符號為Cu，原子序數為29。它的密度為 8.92 克/立方厘米，熔點為 1083°C，1,017°C 時的蒸氣壓為 10-4 托。 其熱膨脹係數為 16.5 x 10-6/K，在薄膜沉積方面，其 Z 比為 0.437。
銅因其優異的導電性、熱性能和黏附特性而廣泛應用於薄膜工業。它可以使用電子束蒸發或在坩堝、蒸發舟和金屬絲籃中進行電阻加熱來熔化和蒸發。以下是使用銅薄膜的幾個範例。
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銅
銅是一種化學元素，符號為Cu，原子序數為29。它的密度為 8.92 克/立方厘米，熔點為 1083°C，1,017°C 時的蒸氣壓為 10-4 托。 其熱膨脹係數為 16.5 x 10-6/K，在薄膜沉積方面，其 Z 比為 0.437。
銅因其優異的導電性、熱性能和黏附特性而廣泛應用於薄膜工業。它可以使用電子束蒸發或在坩堝、蒸發舟和金屬絲籃中進行電阻加熱來熔化和蒸發。以下是使用銅薄膜的幾個範例。
銅的薄膜應用
- 微電子學中的互連： 銅薄膜由於電阻低，可用於積體電路和半導體裝置，以在組件之間創建有效的電氣路徑。
- 塗層和電鍍：銅薄膜在各種電子設備中用作導電層，為進一步沉積或電鍍提供可靠且高效的導電表面。
- 反射塗層：銅的高反射率使其適合用於光學塗層和鏡子，從而提高依賴光反射的設備的效率。
- 阻擋層：在多層薄膜結構中，銅可作為擴散阻擋層，防止不同材料混合，從而保持各層的完整性和性能。
- 感測器和催化劑：銅薄膜因其反應性表面特性而被用於氣體感測器和化學反應中的催化劑。
- 靶材背板：真空鍍膜機中的濺鍍靶材傳統上黏合到銅背板上。
總體而言，銅的多功能性和良好的物理和化學性能使其成為生產各種先進技術應用的薄膜的寶貴材料。
Ideal Vacuum Products 以極具競爭力的價格和較短的交貨時間提供各種尺寸的蒸發顆粒。請查看下面的其他顆粒尺寸選項，如有任何疑問，請聯絡我們的銷售團隊。 我們也接受客製化顆粒尺寸訂單，以滿足您的特定要求。
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