理想真空圓形磁控濺鍍靶材,二氧化鋯 - ZrO

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<中心> 理想真空圓形磁控濺鍍靶材,氧化鋯- ZrO2 濺射靶材,直徑3 英寸x 厚0.125 英寸,純度99.99%,金屬粘合到OFHC 銅背板
理想真空產品股份有限公司。
本產品為圓形磁控管 ZrO2 濺鍍靶材,直徑為 3'',厚度為 0.125"。純度為 99.99%,與 OFHC 金屬結合(無氧高導)銅背板

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二氧化鋯(ZrO2)又稱為氧化鋯,是一種由鋯和氧組成的無機化合物。它是一種白色結晶固體,以其卓越的硬度、化學穩定性和高熔點而聞名。 ZrO2 因其強大的物理性能和多功能性而廣泛應用於各種工業和科學應用。 二氧化鋯 (ZrO2) 因其卓越的熱學、化學和光學性能而廣泛用於薄膜塗層。其高折射率、化學穩定性和機械耐久性使其成為各種先進薄膜應用的理想材料。以下是ZrO2在薄膜塗層中的主要用途:

1. 光學鍍膜。 2.介電層。 3.保護隔離塗層
4.熱障塗層。

二氧化鋯薄膜因其高折射率、介電強度和熱穩定性的獨特組合而被廣泛用於先進的應用,包括光學元件、微電子、保護塗層和高溫系統。

射頻與直流濺鍍:
射頻濺鍍通常是濺鍍純金屬氧化物的首選方法,因為它們是絕緣體,並且射頻具有交流電場,可以防止靶表面上的電荷積聚。這種交變場減少了電荷積累,否則會在直流濺射中引起電弧。 沉積速率:
較低的沉積速率:在射頻濺射中,與直流相比,向等離子體的功率傳輸效率較低,這主要是由於電場的交替性質。與同等功率條件下的直流濺鍍相比,這導致沉積速率較低。 目標材質:
對於導電靶材(如反應濺鍍中的鈦),直流濺鍍具有更高的沉積速率。對於純金屬氧化物等絕緣目標,必須使用射頻濺射,且沉積速率通常較低。 功率等級:
增加功率可以提高射頻和直流濺鍍的沉積速率,但對於導電材料來說,直流濺鍍的沉積速率仍然較高。

壓力與氣體流量:
透過優化氣體壓力和流量,以及射頻與直流的不同最佳條件,可以實現更高的沉積速率。




註解:
建議對所有介電靶材使用金屬或彈性體背板黏合,因為這些材料具有不適合濺鍍的特性,例如脆性和低導熱性。這些目標由於導熱率低而最容易受到熱衝擊的影響,因此在啟動和關閉步驟期間可能需要特定的功率上升和下降程序。
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