理想真空圓形磁控濺鍍靶材，氟化鎂 - MgF
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理想真空圓形磁控濺鍍靶，氟化鎂- MgF2 濺射靶，直徑3 英寸x 厚度0.125 英寸，純度99.995%，與OFHC 銅背板金屬粘合
理想真空產品有限公司
射頻與直流濺鍍：
射頻濺鍍通常是濺鍍純金屬氧化物的首選方法，因為它們是絕緣體，而射頻具有交變電場，可防止電荷在目標表面積聚。這種交變場減少了在直流濺射中會引起電弧的電荷累積。 沉積速率：
沉積速率較低：在射頻濺鍍中，與直流電相比，等離子體的功率傳輸效率較低，這主要是由於電場的交變性質。與等效功率條件下的直流濺鍍相比，這導致沉積速率較低。 目標材質：
對於導電靶材（如反應濺鍍中的鈦），直流濺鍍具有更高的沉積速率。對於純金屬氧化物等絕緣目標，必須使用射頻濺射，且沉積速率通常較低。 功率等級：
增加功率可以提高射頻和直流濺鍍的沉積速率，但對於導電材料來說，直流的沉積速率仍然較高。
壓力與氣體流量：
透過優化氣體壓力和流量，可以實現更高的沉積速率，並且射頻和直流的最佳條件不同。
注意：
建議所有電介質靶材料都採用金屬或彈性體背板黏合，因為這些材料具有不適合濺鍍的特性，例如脆性和低熱導率。由於這些目標的熱導率低，它們最容易受到熱衝擊，因此在啟動和關閉步驟中可能需要特定的功率上升和下降程序。
理想真空產品有限公司
本產品為圓形磁控氟化鎂 - MgF2濺射靶，直徑 3 英吋 x 厚度 0.125 英吋。 OFHC（無氧高導電性）銅背板。
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氟化鎂 - MgF2
氟化鎂 - MgF2 ，由於其優異的傳輸性能和耐用性而成為光學應用中廣泛使用的材料。以下是其主要特徵的摘要：
折射率：~1.38（550 nm 時），使其成為低折射率材料。 透明度範圍：MgF2 具有寬透射窗口，可從深紫外線 (~120 nm) 透射至中紅外線 (~7 µm)，因此適用於紫外線、可見光和紅外線應用
光學塗層：常用於鏡頭、濾光片和其他光學元件的抗反射塗層和多層光學塗層。 耐用性：MgF2堅硬且化學性質穩定，能夠抵抗環境退化，適合在惡劣條件下使用。 沉積方法：由於其絕緣性質，通常採用射頻濺射沉積。 MgF2 因其廣泛的光學透明度和低折射率而被廣泛選擇，使其成為降低各種光學系統中反射率的理想選擇。
氟化鎂 - MgF2 ，由於其優異的傳輸性能和耐用性而成為光學應用中廣泛使用的材料。以下是其主要特徵的摘要：
折射率：~1.38（550 nm 時），使其成為低折射率材料。 透明度範圍：MgF2 具有寬透射窗口，可從深紫外線 (~120 nm) 透射至中紅外線 (~7 µm)，因此適用於紫外線、可見光和紅外線應用
光學塗層：常用於鏡頭、濾光片和其他光學元件的抗反射塗層和多層光學塗層。 耐用性：MgF2堅硬且化學性質穩定，能夠抵抗環境退化，適合在惡劣條件下使用。 沉積方法：由於其絕緣性質，通常採用射頻濺射沉積。 MgF2 因其廣泛的光學透明度和低折射率而被廣泛選擇，使其成為降低各種光學系統中反射率的理想選擇。
射頻與直流濺鍍：
射頻濺鍍通常是濺鍍純金屬氧化物的首選方法，因為它們是絕緣體，而射頻具有交變電場，可防止電荷在目標表面積聚。這種交變場減少了在直流濺射中會引起電弧的電荷累積。 沉積速率：
沉積速率較低：在射頻濺鍍中，與直流電相比，等離子體的功率傳輸效率較低，這主要是由於電場的交變性質。與等效功率條件下的直流濺鍍相比，這導致沉積速率較低。 目標材質：
對於導電靶材（如反應濺鍍中的鈦），直流濺鍍具有更高的沉積速率。對於純金屬氧化物等絕緣目標，必須使用射頻濺射，且沉積速率通常較低。 功率等級：
增加功率可以提高射頻和直流濺鍍的沉積速率，但對於導電材料來說，直流的沉積速率仍然較高。
壓力與氣體流量：
透過優化氣體壓力和流量，可以實現更高的沉積速率，並且射頻和直流的最佳條件不同。
注意：
建議所有電介質靶材料都採用金屬或彈性體背板黏合，因為這些材料具有不適合濺鍍的特性，例如脆性和低熱導率。由於這些目標的熱導率低，它們最容易受到熱衝擊，因此在啟動和關閉步驟中可能需要特定的功率上升和下降程序。
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