理想的な真空円形マグネトロンスパッタリングターゲット、フッ化マグネシウム - MgF
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Ideal Vacuum Products, LLC.
この製品は、直径 3 インチ x 厚さ 0.125 インチの円形マグネトロン マグネシウム フッ化物 - MgF2 スパッタリング ターゲットです。純度は 99.995 パーセントで、OFHC (無酸素高伝導性) 銅バッキング プレートに金属結合されています。
当社は、お客様が最高品質の製品を可能な限り最高の価値で確実に受け取れるよう、非常に競争力のある価格戦略を採用しています。これにより、すべての購入において、手頃な価格と優れた品質の両方を実現しています。当社はすべてのお客様に大幅な割引を提供しており、大量注文のお客様は大幅な節約をお楽しみいただけます。当社は大量の製品を在庫しており、お客様が注文後、即日出荷を保証しています。この短いリードタイムは、より迅速なターンアラウンド時間でキャッシュフローを管理したいすべてのお客様に好評です。当社の常連のお客様は、在庫レベルを低く抑え、保管コストを削減し、陳腐化のリスクを最小限に抑えることができます。Ideal Vacuum から購入すると、お客様は製品をより早く受け取ることができ、満足度が向上し、緊急のニーズを満たすことができます。これにより、お客様は新しいトレンドや需要に迅速に適応し、競争相手に先んじることができます。
フッ化マグネシウム - MgF2
フッ化マグネシウム - MgF2 は、優れた透過特性と耐久性により、光学用途で広く使用されている材料です。主な特徴を以下にまとめます。
屈折率: 約 1.38 (550 nm) で、低屈折率材料です。
透明度範囲: MgF2 は透過ウィンドウが広く、深紫外線 (約 120 nm) から中赤外線 (約 7 µm) まで透過するため、紫外線、可視光線、赤外線の用途に適しています。
光学コーティング: レンズ、フィルター、その他の光学部品の反射防止コーティングや多層光学コーティングによく使用されます。
耐久性: MgF2 は硬く、化学的に安定しており、環境劣化に耐性があり、過酷な条件での使用に適しています。
堆積方法: 絶縁性のため、通常は RF スパッタリングで堆積されます。
MgF2 は、その広い光学的透明度と低い屈折率からよく選ばれ、さまざまな光学システムで反射率を低減するのに最適です。
当社は、お客様が最高品質の製品を可能な限り最高の価値で確実に受け取れるよう、非常に競争力のある価格戦略を採用しています。これにより、すべての購入において、手頃な価格と優れた品質の両方を実現しています。当社はすべてのお客様に大幅な割引を提供しており、大量注文のお客様は大幅な節約をお楽しみいただけます。当社は大量の製品を在庫しており、お客様が注文後、即日出荷を保証しています。この短いリードタイムは、より迅速なターンアラウンド時間でキャッシュフローを管理したいすべてのお客様に好評です。当社の常連のお客様は、在庫レベルを低く抑え、保管コストを削減し、陳腐化のリスクを最小限に抑えることができます。Ideal Vacuum から購入すると、お客様は製品をより早く受け取ることができ、満足度が向上し、緊急のニーズを満たすことができます。これにより、お客様は新しいトレンドや需要に迅速に適応し、競争相手に先んじることができます。
フッ化マグネシウム - MgF2
フッ化マグネシウム - MgF2 は、優れた透過特性と耐久性により、光学用途で広く使用されている材料です。主な特徴を以下にまとめます。
屈折率: 約 1.38 (550 nm) で、低屈折率材料です。
透明度範囲: MgF2 は透過ウィンドウが広く、深紫外線 (約 120 nm) から中赤外線 (約 7 µm) まで透過するため、紫外線、可視光線、赤外線の用途に適しています。
光学コーティング: レンズ、フィルター、その他の光学部品の反射防止コーティングや多層光学コーティングによく使用されます。
耐久性: MgF2 は硬く、化学的に安定しており、環境劣化に耐性があり、過酷な条件での使用に適しています。
堆積方法: 絶縁性のため、通常は RF スパッタリングで堆積されます。
MgF2 は、その広い光学的透明度と低い屈折率からよく選ばれ、さまざまな光学システムで反射率を低減するのに最適です。
RF と DC スパッタリング:
RF スパッタリングは、純粋な金属酸化物をスパッタリングする場合によく使用される方法です。金属酸化物は絶縁体であり、RF にはターゲット表面での電荷の蓄積を防ぐ交流電界があるためです。この交流電界により、DC スパッタリングでアーク放電を引き起こす電荷の蓄積が軽減されます。
堆積速度:
堆積速度が低い: RF スパッタリングでは、主に電界の交流特性により、プラズマへの電力伝達は DC に比べて効率が低くなります。このため、同等の電力条件下では、DC スパッタリングに比べて堆積速度が低くなります。
ターゲット材料:
導電性ターゲット (反応性スパッタリングのチタンなど) の場合、DC スパッタリングの方が堆積速度が高くなります。純粋な金属酸化物のような絶縁ターゲットの場合、RF スパッタリングを使用する必要があり、堆積速度は通常低くなります。
電力レベル:
電力を上げると、RF スパッタリングと DC スパッタリングの両方で堆積速度を上げることができますが、導電性材料の場合は、DC スパッタリングの方が堆積速度が速くなる傾向があります。
圧力とガス流量:
ガス圧力とガス流量を最適化することで、堆積速度を上げることができます。RF と DC では最適な条件が異なります。
注:
すべての誘電体ターゲット材料には、脆さや低い熱伝導率など、スパッタリングに適さない特性があるため、金属またはエラストマーのバッキングプレート接合が推奨されます。これらのターゲットは、熱伝導率が低いため熱衝撃の影響を受けやすく、そのため、起動およびシャットダウン手順中に特定の電力増加および減少手順が必要になる場合があります。
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