理想真空圆形磁控溅射靶,氟化镁 - MgF

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Ideal Vacuum 圆形磁控溅射靶,氟化镁 - MgF2 溅射靶,直径 3'' x 厚度 0.125",纯度 99.995%,金属粘合到 OFHC 铜背板上
Ideal Vacuum Products, LLC.

本产品为圆形磁控氟化镁 - MgF2 溅射靶,直径 3'' x 厚度 0.125"。纯度为 99.995%,金属粘合到 OFHC(无氧高导电性)铜背板上。

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氟化镁 - MgF2
氟化镁 - MgF2 因其出色的传输性能和耐用性而成为光学应用中广泛使用的材料。以下是其主要特性的总结:
折射率:~1.38(550 nm 时),是一种低折射率材料。
透明度范围:MgF2 具有宽透射窗口,可从深紫外(~120 nm)透射到中红外(~7 µm),适用于紫外、可见光和红外应用。
光学涂层:常用于镜头、滤光片和其他光学元件的防反射涂层和多层光学涂层。
耐用性:MgF2 坚硬且化学稳定,耐环境降解,适合在恶劣条件下使用。
沉积方法:由于其绝缘性质,通常通过射频溅射沉积。
MgF2 因其广泛的光学透明度和低折射率而被广泛选择,使其成为降低各种光学系统中反射率的理想选择。

RF 与 DC 溅射:
RF 溅射通常是溅射纯金属氧化物的首选方法,因为它们是绝缘体,而 RF 具有交变电场,可防止目标表面电荷积聚。这种交变场减少了电荷积聚,否则会导致 DC 溅射产生电弧。

沉积速率:
较低的沉积速率:在 RF 溅射中,与 DC 相比,功率传输到等离子体的效率较低,这主要是由于电场的交变性质。与等效功率条件下的 DC 溅射相比,这导致沉积速率较低。

目标材料:
对于导电目标(如反应溅射中的钛),DC 溅射具有更高的沉积速率。对于纯金属氧化物等绝缘靶材,必须使用射频溅射,而且沉积速率通常较低。

功率水平:
增加功率可以提高射频和直流溅射的沉积速率,但对于导电材料,直流的沉积速率仍然更高。

压力和气流:
通过优化气体压力和流量可以实现更高的沉积速率,射频和直流的最佳条件不同。





注意事项:
建议对所有介电靶材使用金属或弹性体背板粘合,因为这些材料具有不适合溅射的特性,例如脆性和低热导率。这些靶材由于导热性低,最容易受到热冲击,因此在启动和关闭步骤期间可能需要特定的功率上升和下降程序。
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