Cibles de pulvérisation magnétron circulaires à vide idéales, FLUORURE DE MAGNÉSIUM - MgF

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Cibles de pulvérisation magnétron circulaires Ideal Vacuum, cible de pulvérisation MgF2 au FLUORURE DE MAGNÉSIUM, diamètre de 3'' x épaisseur de 0,125", pureté de 99,995 %, métallisée sur une plaque de support en cuivre OFHC
Ideal Vacuum Products, LLC.

Ce produit est une cible de pulvérisation MgF2 au FLUORURE DE MAGNÉSIUM circulaire à magnétron, d'un diamètre de 3'' x épaisseur de 0,125". Elle est pure à 99,995 % et est métalliquement liée à une plaque de support en cuivre OFHC (Oxygen-Free High Conductivity).

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FLUORURE DE MAGNÉSIUM - MgF2
FLUORURE DE MAGNÉSIUM - MgF2 , est un matériau largement utilisé dans les applications optiques en raison de ses excellentes propriétés de transmission et de sa durabilité. Voici un résumé de ses principales caractéristiques :
Indice de réfraction : environ 1,38 (à 550 nm), ce qui en fait un matériau à faible indice.
Plage de transparence : le MgF2 présente une large fenêtre de transmission, passant de l'UV profond (~ 120 nm) à l'IR moyen (~ 7 µm), ce qui le rend adapté aux applications UV, visibles et IR.
Revêtements optiques : souvent utilisé dans les revêtements antireflets et les revêtements optiques multicouches pour les lentilles, les filtres et autres composants optiques.
Durabilité : le MgF2 est dur et chimiquement stable, résistant à la dégradation environnementale et adapté à une utilisation dans des conditions difficiles.
Méthode de dépôt : généralement déposé par pulvérisation cathodique RF en raison de sa nature isolante.
Le MgF2 est généralement choisi pour sa grande transparence optique et son faible indice de réfraction, ce qui le rend idéal pour réduire la réflectivité dans divers systèmes optiques.

Différence entre pulvérisation RF et pulvérisation DC :
La pulvérisation RF est souvent la méthode préférée pour la pulvérisation d'oxydes métalliques purs, car ce sont des isolants et la RF possède un champ électrique alternatif qui empêche l'accumulation de charge sur la surface de la cible. Ce champ alternatif réduit l'accumulation de charge qui provoquerait autrement un arc électrique lors de la pulvérisation DC.

Vitesse de dépôt :
Vitesse de dépôt plus faible : dans la pulvérisation RF, le transfert de puissance vers le plasma est moins efficace que dans le cas du DC, principalement en raison de la nature alternative du champ électrique. Cela se traduit par une vitesse de dépôt plus faible par rapport à la pulvérisation DC dans des conditions de puissance équivalentes.

Matériau cible :
Pour les cibles conductrices (comme le titane dans la pulvérisation réactive), la pulvérisation DC a une vitesse de dépôt plus élevée. Pour les cibles isolantes telles que les oxydes métalliques purs, la pulvérisation RF doit être utilisée et les taux de dépôt sont généralement plus faibles.

Niveaux de puissance :
L'augmentation de la puissance peut augmenter les taux de dépôt dans la pulvérisation RF et CC, mais les taux de dépôt ont toujours tendance à être plus élevés en CC pour les matériaux conducteurs.

Pression et débit de gaz :
Des taux de dépôt plus élevés peuvent être obtenus en optimisant la pression et le débit de gaz, avec des conditions optimales différentes pour RF et CC.





Remarques :
Le collage de plaques de support métalliques ou élastomères est recommandé pour tous les matériaux cibles diélectriques, car ces matériaux présentent des caractéristiques qui ne se prêtent pas à la pulvérisation cathodique, telles que la fragilité et une faible conductivité thermique. Ces cibles sont plus sensibles aux chocs thermiques en raison de leur faible conductivité thermique et peuvent donc nécessiter des procédures spécifiques de montée et de descente en puissance pendant les étapes de démarrage et d'arrêt.
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